N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD053N08N3GATMA1

Nr. stoc RS: 170-2283Producator: InfineonCod de producator: IPD053N08N3GATMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Latime

7.36mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

52 nC @ 10 V

Inaltime

2.41mm

Dimensiune celula

IPD053N08N3 G

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

Incercati din nou mai tarziu

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

€ 1,00

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 1,19

Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD053N08N3GATMA1

€ 1,00

Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)

€ 1,19

Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD053N08N3GATMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Latime

7.36mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

52 nC @ 10 V

Inaltime

2.41mm

Dimensiune celula

IPD053N08N3 G

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V