Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IPB027N10N3GATMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
155 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.57mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,14
€ 3,57 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,64
€ 4,32 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
2
€ 7,14
€ 3,57 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 8,64
€ 4,32 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
9.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
155 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.57mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse