Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PG-TO263-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,03
Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 2,416
Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
€ 2,03
Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 2,416
Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
PG-TO263-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse