N-Channel MOSFET, 14.7 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA60R400CEXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
890 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Inaltime
16.15mm
Dimensiune celula
CoolMOS CE
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
890 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Inaltime
16.15mm
Dimensiune celula
CoolMOS CE
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse