IGBT 650V 50A TRENCHSTOP 10-40kHz TO-247
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
274 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
1.78mJ
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
3100pF
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
274 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
1.78mJ
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
3100pF
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse