Infineon IKW50N60TFKSA1 IGBT, 100 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
333 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,63
€ 6,63 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 8,02
€ 8,02 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
1
€ 6,63
€ 6,63 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 8,02
€ 8,02 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
333 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse