Infineon IKW25N120H3FKSA1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
326 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Gate Capacitance
1430pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
4.3mJ
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,14
€ 5,57 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 13,26
€ 6,628 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 11,14
€ 5,57 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 13,26
€ 6,628 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 4 | € 5,57 | € 11,14 |
| 6 - 18 | € 4,76 | € 9,52 |
| 20 - 38 | € 4,48 | € 8,96 |
| 40 - 98 | € 4,24 | € 8,48 |
| 100+ | € 3,61 | € 7,22 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
326 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Gate Capacitance
1430pF
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
4.3mJ
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse