Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Nr. stoc RS: 110-7783Producator: InfineonCod de producator: IKP15N60TXKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

26 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

130 W

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

0.81mJ

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Gate Capacitance

860pF

Detalii produs

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,70

€ 0,97 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,74

€ 1,174 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Selectati tipul de ambalaj

€ 9,70

€ 0,97 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,74

€ 1,174 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 40€ 0,97€ 9,70
50 - 90€ 0,91€ 9,10
100 - 240€ 0,87€ 8,70
250 - 490€ 0,82€ 8,20
500+€ 0,76€ 7,60

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

26 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

130 W

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

0.81mJ

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Gate Capacitance

860pF

Detalii produs

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe