Infineon IKB30N65ES5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Tip pachet
TO-263
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,87
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 3,415
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 2,87
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 3,415
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Tip pachet
TO-263
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse