Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Nr. stoc RS: 110-7157PProducator: InfineonCod de producator: IGW50N65H5FKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

305 W

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Gate Capacitance

3000pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

0.7mJ

Detalii produs

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 79,20

€ 3,96 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 95,83

€ 4,792 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Selectati tipul de ambalaj

€ 79,20

€ 3,96 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 95,83

€ 4,792 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Infineon IGW50N65H5FKSA1 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Tub
20 - 36€ 3,96€ 15,84
40 - 96€ 3,76€ 15,04
100 - 196€ 3,48€ 13,92
200+€ 3,24€ 12,96

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

305 W

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Gate Capacitance

3000pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Energy Rating

0.7mJ

Detalii produs

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe