Infineon 16kbit Serial-2 Wire, Serial-I2C FRAM Memory 8-Pin DFN, FM24CL16B-DG

Nr. stoc RS: 125-4211Producator: InfineonCod de producator: FM24CL16B-DG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Memory Size

16kbit

Organisation

2K x 8 bit

Interfata

Serial-2 Wire, Serial-I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

3000ns

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

DFN

Numar pini

8

Dimensiuni

4 x 4.5 x 0.7mm

Lungime

4.5mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.65 V

Latime

4mm

Inaltime

0.7mm

Temperatura maxima de lucru

+85 °C

Automotive Standard

AEC-Q100

Number of Words

2K

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Number of Bits per Word

8bit

Detalii produs

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 13,55

€ 2,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 16,40

€ 3,279 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon 16kbit Serial-2 Wire, Serial-I2C FRAM Memory 8-Pin DFN, FM24CL16B-DG
Selectati tipul de ambalaj

€ 13,55

€ 2,71 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 16,40

€ 3,279 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Infineon 16kbit Serial-2 Wire, Serial-I2C FRAM Memory 8-Pin DFN, FM24CL16B-DG
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Memory Size

16kbit

Organisation

2K x 8 bit

Interfata

Serial-2 Wire, Serial-I2C

Data Bus Width

8bit

Maximum Random Access Time

3000ns

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

DFN

Numar pini

8

Dimensiuni

4 x 4.5 x 0.7mm

Lungime

4.5mm

Maximum Operating Supply Voltage

3.65 V

Latime

4mm

Inaltime

0.7mm

Temperatura maxima de lucru

+85 °C

Automotive Standard

AEC-Q100

Number of Words

2K

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Number of Bits per Word

8bit

Detalii produs

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze