Infineon 256kbit Parallel FRAM Memory 28-Pin SOIC, FM18W08-SG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMemory Size
256kbit
Organisation
32K x 8 bit
Interfata
Parallel
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
70ns
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOIC
Numar pini
28
Dimensiuni
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Lungime
18.11mm
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Latime
7.62mm
Inaltime
2.37mm
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Automotive Standard
AEC-Q100
Number of Words
32K
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Bits per Word
8bit
Detalii produs
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 12,56
Buc. (fara TVA)
€ 14,95
Buc. (cu TVA)
1
€ 12,56
Buc. (fara TVA)
€ 14,95
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,56 |
| 10 - 49 | € 9,96 |
| 50 - 99 | € 9,61 |
| 100 - 499 | € 9,27 |
| 500+ | € 8,94 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMemory Size
256kbit
Organisation
32K x 8 bit
Interfata
Parallel
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
70ns
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOIC
Numar pini
28
Dimensiuni
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Lungime
18.11mm
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Latime
7.62mm
Inaltime
2.37mm
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Automotive Standard
AEC-Q100
Number of Words
32K
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Bits per Word
8bit
Detalii produs
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse