3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
AG-EASY1B
Serie
EasyPACK
Numar pini
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Informatii indisponibile despre stoc
P.O.A.
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
24
P.O.A.
3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Informatii indisponibile despre stoc
24
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
AG-EASY1B
Serie
EasyPACK
Numar pini
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse