N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ097N10NS5ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TSDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Dimensiune celula
BSZ097N10NS5
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,82
Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 0,976
Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
5000
€ 0,82
Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 0,976
Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
5000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TSDSON
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Dimensiune celula
BSZ097N10NS5
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse