Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0909NDXTMA1

Nr. stoc RS: 222-4631Producator: InfineonCod de producator: BSZ0909NDXTMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Dimensiune celula

OptiMOSTM3

Tip pachet

PQFN 3 x 3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.018 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0909NDXTMA1

5000

Disponibil in multiplu de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0909NDXTMA1
Informatii indisponibile despre stoc

5000

Disponibil in multiplu de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Dimensiune celula

OptiMOSTM3

Tip pachet

PQFN 3 x 3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.018 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe