N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS119NH6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Dimensiune celula
OptiMOS
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,13
Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)
250
€ 0,13
Buc. (Pe o rola de 250) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Pe o rola de 250) (cu TVA)
250
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 250 - 250 | € 0,13 | € 32,50 |
| 500 - 1000 | € 0,12 | € 30,00 |
| 1250 - 2250 | € 0,11 | € 27,50 |
| 2500 - 6000 | € 0,10 | € 25,00 |
| 6250+ | € 0,09 | € 22,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
190 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Dimensiune celula
OptiMOS
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse