N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR606NH6327XTSA1

Nr. stoc RS: 170-2253Producator: InfineonCod de producator: BSR606NH6327XTSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SC-59

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.7 nC @ 5 V

Latime

1.6mm

Inaltime

1.1mm

Dimensiune celula

BSR606N

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.15V

Automotive Standard

AEC-Q101

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR606NH6327XTSA1

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR606NH6327XTSA1
Informatii indisponibile despre stoc

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SC-59

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.7 nC @ 5 V

Latime

1.6mm

Inaltime

1.1mm

Dimensiune celula

BSR606N

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.15V

Automotive Standard

AEC-Q101

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe