Dual N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V, 8-Pin TISON-8 Infineon BSG0811NDATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Dimensiune celula
OptiMOS
Tip pachet
TISON-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.003 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,23
Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 1,464
Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
5000
€ 1,23
Buc. (Pe o rola de 5000) (fara TVA)
€ 1,464
Buc. (Pe o rola de 5000) (cu TVA)
5000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Dimensiune celula
OptiMOS
Tip pachet
TISON-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.003 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse