N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G

Nr. stoc RS: 911-0765Producator: InfineonCod de producator: BSC057N08NS3 G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

TDSON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

114 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Inaltime

1.1mm

Dimensiune celula

OptiMOS 3

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Singapore

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G

5000

Disponibil in multiplu de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G
Informatii indisponibile despre stoc

5000

Disponibil in multiplu de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Tip pachet

TDSON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

114 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Inaltime

1.1mm

Dimensiune celula

OptiMOS 3

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Singapore

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe