Infineon BFS481H6327XTSA1 Dual NPN Transistor, 12 V, 6-Pin SOT-363

Nr. stoc RS: 752-8148Producator: InfineonCod de producator: BFS481H6327XTSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare bipolare

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-363 (SC-88)

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

175 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Numar pini

6

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2 x 1.25 x 0.8mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363Producator: onsemi
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Infineon BFS481H6327XTSA1 Dual NPN Transistor, 12 V, 6-Pin SOT-363

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Infineon BFS481H6327XTSA1 Dual NPN Transistor, 12 V, 6-Pin SOT-363

Informatii despre stoc temporar indisponibile

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363Producator: onsemi
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-363 (SC-88)

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

175 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Numar pini

6

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2 x 1.25 x 0.8mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363Producator: onsemi
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)