Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Nr. stoc RS: 145-9721Producator: InfineonCod de producator: BFR93AE6327HTSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

90 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

6 GHz

Numar pini

3

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 360,00

€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 435,60

€ 0,145 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

€ 360,00

€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 435,60

€ 0,145 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
3000 - 3000€ 0,12€ 360,00
6000 - 6000€ 0,11€ 330,00
9000+€ 0,10€ 300,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

90 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

6 GHz

Numar pini

3

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe