Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Nr. stoc RS: 823-5538PProducator: InfineonCod de producator: BFR193E6327HTSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Numar pini

3

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,00

€ 0,20 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,05

€ 0,242 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,00

€ 0,20 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,05

€ 0,242 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Numar pini

3

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe