Infineon BFR181E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 20 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Nr. stoc RS: 752-8136PProducator: InfineonCod de producator: BFR181E6327HTSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare bipolare

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

20 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

175 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Numar pini

3

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Infineon BFR181E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 20 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Infineon BFR181E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 20 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

20 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

175 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Numar pini

3

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe