Infineon BFP196E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143

Nr. stoc RS: 178-7401Producator: InfineonCod de producator: BFP196E6327HTSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-143

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

7.5 GHz

Numar pini

4

Number of Elements per Chip

1

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Infineon BFP196E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143

P.O.A.

Infineon BFP196E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Tip pachet

SOT-143

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

700 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

7.5 GHz

Numar pini

4

Number of Elements per Chip

1

Dimensiuni

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe