Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Inaltime
0.9mm
Latime
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,05
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,06
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,05
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,06
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Inaltime
0.9mm
Latime
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse