Fuji Electric FGW15N120VD IGBT, 15 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
155 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.9 x 5.03 x 20.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
155 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.9 x 5.03 x 20.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse