Fuji Electric 7MBR35UA-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A 1200 V, 24-Pin M711, PCB Mount

Nr. stoc RS: 716-5665Producator: Fuji ElectricCod de producator: 7MBR35UA-120-50
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Fuji Electric

Maximum Continuous Collector Current

35 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

160 W

Tip pachet

M711

Configuration

3 Phase Bridge

Montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

24

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

107.5 x 45 x 17mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR35UA-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A 1200 V, 24-Pin M711, PCB Mount

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR35UA-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A 1200 V, 24-Pin M711, PCB Mount
Informatii indisponibile despre stoc

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Fuji Electric

Maximum Continuous Collector Current

35 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

160 W

Tip pachet

M711

Configuration

3 Phase Bridge

Montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

24

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

107.5 x 45 x 17mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe