Fuji Electric 7MBP50RA-120-55, P 610 , N-Channel 3 Phase IGBT Module, 50 A max, 1200 V, PCB Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Power Dissipation
357 W
Tip pachet
P 610
Configuration
3 Phase
Montare
PCB Mount
Channel Type
N
Numar pini
22
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiuni
109 x 88 x 22mm
Temperatura minima de lucru
-20 °C
Temperatura maxima de lucru
+100 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Power Dissipation
357 W
Tip pachet
P 610
Configuration
3 Phase
Montare
PCB Mount
Channel Type
N
Numar pini
22
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiuni
109 x 88 x 22mm
Temperatura minima de lucru
-20 °C
Temperatura maxima de lucru
+100 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse