Fuji Electric 6MBP50VBA-120-50 3 Phase Smart Power Module, 50 A 1200 V, 24-Pin P 626, PCB Mount

Nr. stoc RS: 146-1776Producator: Fuji ElectricCod de producator: 6MBP50VBA-120-50
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Power Dissipation

255 W

Configuration

3 Phase

Tip pachet

P 626

Timp montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

24

Switching Speed

20kHz

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

87 x 50.2 x 12mm

Temperatura maxima de lucru

+110 °C

Temperatura minima de lucru

-20 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

IPM (Intelligent Power Module) IGBT, V-Series, Fuji Electric

The Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) come equipped with drive, control and protection IGBT circuits. They are easy to implement in power control applications for AC servos, air conditioning equipment and elevators. Built-in protection functions optimize and increase the lifetime of IPM IGBTs thereby safeguarding high system reliability. The IPMs come equipped with protection against over-current, short circuit, control power voltage drop and over-heating, and include output alarm signals.

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Fuji Electric 6MBP50VBA-120-50 3 Phase Smart Power Module, 50 A 1200 V, 24-Pin P 626, PCB Mount

P.O.A.

Fuji Electric 6MBP50VBA-120-50 3 Phase Smart Power Module, 50 A 1200 V, 24-Pin P 626, PCB Mount
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Power Dissipation

255 W

Configuration

3 Phase

Tip pachet

P 626

Timp montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

24

Switching Speed

20kHz

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

87 x 50.2 x 12mm

Temperatura maxima de lucru

+110 °C

Temperatura minima de lucru

-20 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

IPM (Intelligent Power Module) IGBT, V-Series, Fuji Electric

The Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) come equipped with drive, control and protection IGBT circuits. They are easy to implement in power control applications for AC servos, air conditioning equipment and elevators. Built-in protection functions optimize and increase the lifetime of IPM IGBTs thereby safeguarding high system reliability. The IPMs come equipped with protection against over-current, short circuit, control power voltage drop and over-heating, and include output alarm signals.

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe