Fuji Electric 1MBI900V-120-50 Single IGBT Module, 900 A 1200 V, 4-Pin M153, Panel Mount

Nr. stoc RS: 168-4642Producator: Fuji ElectricCod de producator: 1MBI900V-120-50
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Fuji Electric

Maximum Continuous Collector Current

900 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

4.28 kW

Tip pachet

M153

Configuration

Single

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

4

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

108 x 62 x 36mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

IGBT Modules 1-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Fuji Electric 1MBI900V-120-50 Single IGBT Module, 900 A 1200 V, 4-Pin M153, Panel Mount

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Fuji Electric 1MBI900V-120-50 Single IGBT Module, 900 A 1200 V, 4-Pin M153, Panel Mount
Informatii indisponibile despre stoc

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Fuji Electric

Maximum Continuous Collector Current

900 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

4.28 kW

Tip pachet

M153

Configuration

Single

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

4

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

108 x 62 x 36mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

IGBT Modules 1-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe