Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Maximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 25,60
€ 2,56 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 30,98
€ 3,098 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 25,60
€ 2,56 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 30,98
€ 3,098 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 2,56 | € 12,80 |
| 100 - 495 | € 2,09 | € 10,45 |
| 500 - 995 | € 1,74 | € 8,70 |
| 1000+ | € 1,52 | € 7,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Maximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse