Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Maximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,85
€ 3,17 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,86
€ 3,772 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 15,85
€ 3,17 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 18,86
€ 3,772 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,17 | € 15,85 |
| 10 - 95 | € 2,53 | € 12,65 |
| 100 - 495 | € 2,06 | € 10,30 |
| 500 - 995 | € 1,72 | € 8,60 |
| 1000+ | € 1,50 | € 7,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Maximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse