P-Channel MOSFET Transistor, 17 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc ZXMP3F35N8TA

Nr. stoc RS: 708-2403PProducator: DiodesZetexCod de producator: ZXMP3F35N8TA
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

5.35 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

77.1 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
€ 0,883Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-Channel MOSFET Transistor, 17 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc ZXMP3F35N8TA
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

P-Channel MOSFET Transistor, 17 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc ZXMP3F35N8TA

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
€ 0,883Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

5.35 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

77.1 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
€ 0,883Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)