Diodes Inc P-Channel MOSFET, 700 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 ZXMP10A13FTA

Nr. stoc RS: 669-7616Producator: DiodesZetexCod de producator: ZXMP10A13FTA
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

700 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

806 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.05mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 5 V, 3.5 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 12,00

€ 0,48 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 14,52

€ 0,581 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 700 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 ZXMP10A13FTA
Selectati tipul de ambalaj

€ 12,00

€ 0,48 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 14,52

€ 0,581 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 700 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 ZXMP10A13FTA

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 125€ 0,48€ 12,00
150 - 725€ 0,40€ 10,00
750 - 1475€ 0,33€ 8,25
1500+€ 0,27€ 6,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

700 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

806 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.05mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 5 V, 3.5 nC @ 10 V

Latime

1.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe