Diodes Inc FZT603TA NPN Darlington Transistor, 2 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.13 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Inaltime
1.65mm
Latime
3.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 240,00
€ 0,24 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 285,60
€ 0,286 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 240,00
€ 0,24 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 285,60
€ 0,286 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.13 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Inaltime
1.65mm
Latime
3.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse