N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13

Nr. stoc RS: 146-0957Producator: DiodesZetexCod de producator: DXT13003DG-13
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3 + Tab

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+9 V

Latime

3.55mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.55mm

Inaltime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.3 A, 700 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Diodes Inc DXT13003DG-13
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3 + Tab

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+9 V

Latime

3.55mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.55mm

Inaltime

1.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe