P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 8-Pin DI5060 Diodes Inc DMP3007SPS-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
DI5060
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
6mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Dimensiune celula
DMP
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,37
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,44
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 0,37
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,44
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
DI5060
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Latime
6mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Inaltime
1.1mm
Dimensiune celula
DMP
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse