P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMP3007SFG-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.78mm
Dimensiune celula
DMP
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,39
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,464
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,39
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,464
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDI3333-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Lungime
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.78mm
Dimensiune celula
DMP
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse