P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 Diodes Inc DMP21D6UFD-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Latime
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.48mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,07
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,083
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,07
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,083
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,07 | € 210,00 |
| 9000 - 12000 | € 0,06 | € 180,00 |
| 15000+ | € 0,06 | € 180,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
X1-DFN1212
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Lungime
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Latime
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.48mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse