N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Diodes Inc DMNH4005SCT
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
TO-220AB
Dimensiune celula
DMN
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Lungime
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.82mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,19
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 2,606
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 2,19
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 2,606
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,19 | € 109,50 |
| 100+ | € 1,98 | € 99,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
TO-220AB
Dimensiune celula
DMN
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Lungime
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.82mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse