Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc DMN65D8LDW-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,05
Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 0,06
Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
100
€ 0,05
Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 0,06
Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
100
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse