Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 6-Pin SOT-26 DMN2215UDM-7

Nr. stoc RS: 751-4152Producator: DiodesZetexCod de producator: DMN2215UDM-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-26

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

215 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

650 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

3.1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.3mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 6-Pin SOT-26 DMN2215UDM-7
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 6-Pin SOT-26 DMN2215UDM-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-26

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

215 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

650 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

3.1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.3mm

Tara de origine

China

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe