Diodes Inc N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2050L-7

Nr. stoc RS: 822-2554Producator: DiodesZetexCod de producator: DMN2050L-7
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 14,50

€ 0,29 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 17,54

€ 0,351 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2050L-7
Selectati tipul de ambalaj

€ 14,50

€ 0,29 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 17,54

€ 0,351 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2050L-7

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
50 - 550€ 0,29€ 14,50
600 - 1450€ 0,19€ 9,50
1500+€ 0,14€ 7,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

1.4 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.7 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe