N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc DMN2004K-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1.1mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,32
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
€ 0,32
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,32 | € 8,00 |
| 150+ | € 0,13 | € 3,25 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1.1mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse