Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 48,00
€ 0,08 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 58,08
€ 0,097 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
600
€ 48,00
€ 0,08 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 58,08
€ 0,097 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
600
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,08 | € 4,00 |
| 1500+ | € 0,06 | € 3,00 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs


