Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002W-7-F

Nr. stoc RS: 708-2399PProducator: DiodesZetexCod de producator: 2N7002W-7-F
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 48,00

€ 0,08 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 58,08

€ 0,097 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002W-7-F
Selectati tipul de ambalaj

€ 48,00

€ 0,08 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 58,08

€ 0,097 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002W-7-F

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
600 - 1450€ 0,08€ 4,00
1500+€ 0,06€ 3,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-323

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe