N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc 2N7002-7-F
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,04
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,048
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,04
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,048
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,04 | € 120,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,04 | € 120,00 |
| 15000 - 27000 | € 0,03 | € 90,00 |
| 30000+ | € 0,03 | € 90,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
3mm
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse