Cypress Semiconductor 1Mbit Parallel FRAM Memory 32-Pin TSOP, FM28V100-TG
Documente tehnice
Specificatii
Memory Size
1Mbit
Organisation
128K x 8 bit
Interfata
Parallel
Maximum Random Access Time
60ns
Montare
Surface Mount
Tip pachet
TSOP
Numar pini
32
Dimensiuni
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
128K
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Detalii produs
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Memory Size
1Mbit
Organisation
128K x 8 bit
Interfata
Parallel
Maximum Random Access Time
60ns
Montare
Surface Mount
Tip pachet
TSOP
Numar pini
32
Dimensiuni
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
128K
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Detalii produs
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse