N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
4.9mm
Latime
5.89mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.04mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,98
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,166
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 0,98
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 1,166
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,98 | € 4,90 |
| 50 - 245 | € 0,90 | € 4,50 |
| 250 - 495 | € 0,67 | € 3,35 |
| 500 - 1245 | € 0,62 | € 3,10 |
| 1250+ | € 0,55 | € 2,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
4.9mm
Latime
5.89mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.04mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse