P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3

Nr. stoc RS: 710-4714Producator: VishayCod de producator: SI4431BDY-T1-E3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

30 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3
Informatii indisponibile despre stoc

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

30 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3Producator: Vishay
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)