P-Channel MOSFET, 1.9 A, 200 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR9210TRPBF

Nr. stoc RS: 812-0657Producator: VishayCod de producator: IRFR9210TRPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

2.38mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 200 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR9210TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 200 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR9210TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Inaltime

2.38mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe